7月25日訊，根據外媒報導，蘋果公司可能會在2026年的iPhone上啟用更大存儲容量，預計將達到2TB。
最新的產業鏈消息顯示，蘋果正在加速推進QLC NAND技術的換代，以將內置存儲上限提升到2TB。這一舉措主要是為了控制成本，並在更大存儲需求下保持競爭力。
早在此之前，就有消息稱蘋果可能會在未來的iPhone上改變存儲容量策略，從iPhone 16開始，逐步放棄使用三層單元（TLC）NAND閃存，轉而在存儲容量達到或超過1TB的機型上採用四層單元（QLC）NAND閃存。
QLC NAND閃存相較於TLC的主要優勢在於每個存儲單元可以存儲四位數據，這意味著在使用相同數量單元的情況下，QLC可以存儲更多的數據，或者在使用更少的單元下實現更大的存儲容量，從而降低生產成本。然而，QLC的可靠性不及TLC，其寫入數據的耐久性較低，這是因為每個單元包含更多的位數，寫入次數相對增加。
QLC NAND閃存能夠存儲16種不同的電荷電平，而TLC僅能存儲8種電荷電平。這意味著在讀取數據時，由於電荷量的增加和裕量的減少，可能會因噪聲增加而導致位錯誤增多。這可能會影響到使用大容量存儲的iPhone 16用戶的數據寫入速度，相較於低容量用戶而言會有所降低。
如果蘋果公司確實推進這一計劃，未來某些版本的iPhone 16用戶可能會面臨數據寫入速度低於低容量機型的情況。然而，蘋果對於存儲技術的進一步發展仍充滿期待，持續在技術革新和成本控制之間尋求平衡。
