8 月 1 日，根據韓國媒體 ETNews 的報導，SK 海力士正全力推動下一代 NAND 閃存技術的開發，計劃於 2025 年底完成 400 層以上堆疊 NAND 閃存的量產準備，並計劃於 2026 年第二季度正式啟動大規模生產。這一新一代 NAND 的推出標誌著 SK 海力士在記憶體技術領域再次邁出重要一步。
回顧 2023 年，SK 海力士曾展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，並宣布這一技術將於 2025 年上半年實現量產。隨著科技的迅速發展，SK 海力士未來兩代 NAND 技術之間的更新間隔將縮短至約一年，這一速度遠快於業界平均水平。相比之下，美光從 232 層 NAND 到 276 層的技術更迭花費了兩年時間，而三星的 V8 NAND 和 V9 NAND 之間的更新間隔約為一年半。
據報導，SK 海力士的 400 層 NAND 閃存將採用全新的結構設計，有別於現有的“4D NAND”架構。SK 海力士目前的 4D NAND 使用了 PUC（Peri Under Cell，單元下外围）技術，將控制電路置於存儲單元下方，從而節省了晶片空間。而在新一代 NAND 技術中，SK 海力士將在兩塊晶圓上分別製造外围電路與存儲單元，隨後通過 W2W（Wafer-to-Wafer，晶圓對晶圓）混合鍵合技術，將這兩部分整合成為一個完整的 NAND 閃存芯片。
這一技術路線與目前長江存儲的 Xtacking 技術以及铠侠（Kioxia）與西部數據聯合開發的 CBA 結構設計有著類似之處。SK 海力士正在積極構建 NAND 混合鍵合所需的材料與設備供應鏈，並進行相關技術與材料的審查。同時，據報導，三星電子也正在考慮在下一代 NAND 閃存的生產中採用類似的混合鍵合技術。
這一系列技術突破，不僅展示了 SK 海力士在 NAND 閃存領域的領先地位，也顯示了該公司在全球半導體市場上的競爭力正在不斷增強。隨著新技術的逐步落地，NAND 閃存的存儲密度與效能將得到進一步提升，為未來各類電子設備的性能進一步提升提供了堅實的技術基礎。
