9月12日訊，三星電子今日宣布其首款 1 太比特四層單元（QLC）第九代 V-NAND 已正式進入量產階段，這標誌著存儲技術邁入全新里程碑。值得一提的是，三星的 1Tb TLC 產品早在今年4月便已開始量產。
據悉，三星 QLC 第九代 V-NAND 實現了多項技術創新，為存儲技術領域帶來重大突破。
首先，三星採用了通道孔蝕刻技術（Channel Hole Etching），在雙堆疊架構下達成了當前業界最高的單元層數。通過運用在 TLC 第九代 V-NAND 中積累的技術經驗，三星成功優化了存儲單元面積與周邊電路設計，使得位密度較上一代 QLC V-NAND 提升了約 86%。
此外，三星還採用了預設模具技術（Designed Mold），調整存儲單元字線（WL）間距，確保單元層內外的存儲特性一致。此項技術使數據保存性能比上一版本提升約 20%，大幅增強了可靠性。
另一項創新技術是預測程序技術（Predictive Program），可預測並精確控制存儲單元的狀態變化，減少多餘操作，使得 QLC 第九代 V-NAND 的寫入性能翻倍，I/O 速度提升了60%。
三星亦針對功耗進行了優化，運用了低功耗設計技術（Low-Power Design），使數據讀取功耗分別下降了約 30% 和 50%。該技術通過降低驅動 NAND 單元所需的電壓，僅檢測必要的位線（BL），從而達到最大限度的節能效果。
最後，三星表示，將逐步擴大 QLC 第九代 V-NAND 的應用範圍，從品牌消費產品拓展至移動通用閃存（UFS）、個人電腦及伺服器 SSD，為包括雲端服務提供商在內的客戶提供全方位的存儲解決方案。
